Особенности замены транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре

При разработке, создании и эксплуатации радиотехники следует принимать во внимание ее специфические особенности. Высокая надежность радиотехники может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.

Транзисторы сохраняют свои характеристики в установленных пределах в условиях работы и хранения, характерных для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в больших пределах. Эти условия характеризуются внешними центробежными нагрузками и климатическими воздействиями (атмосферными и др.).

Общие требования, справедливые для всех биполярных транзисторов, предназначенных для использования в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических параметров и специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, содержатся в частных технических условиях.

Для удобства разработки и ремонта основные аналоги транзисторов и их цоколевка собраны в справочнике. К преимуществам Интернет справочника можно отнести его общедоступность, пополняемость, простой поиск требуемого транзистора по маркировке и аналогу.

Под воздействием разных факторов окружающей среды некоторые параметры транзисторов и свойства могут меняться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних факторов служат корпуса приборов. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их использование в составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуатации. Надо запомнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них электронными элементами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя.

Все большее распространение находят так называемые бескорпусные транзисторы, изготовленные для применения в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита увеличивается общей герметизацией всей микросхемы.

Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу радиоаппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и осуществить должные условия ее эксплуатации и хранения.

Транзисторы - элементы универсального применения. Они могут быть отлично использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах. Но набор параметров и характеристик, находящихся в электронном справочнике, соответствует главному назначению транзистора. В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов работы. Рабочий режим транзистора в разрабатываемом устройстве часто отличается от того режима, для которого приводятся параметры в ТУ.

Значения большинства параметров транзисторов зависят от реального режима и температуры, причем с увеличением температуры зависимость параметров от режима заметно более сильно. В справочнике приведены, как правило, типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимости должны использоваться при нахождении типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные характеристик трехполюсников одного типа не одинаковы, а лежат в некотором интервале. Данный диапазон ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение.

При ремонте компьютерной техники необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более больших интервалах изменений важнейших характеристик транзисторов. Разброс характеристик транзисторов и их изменение во времени при настройке могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — способом граничных испытаний.

Полевые трехполюсники с управляющим р-n переходом функционируют в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении напряжения затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.

В отличие от трехполюсников с управляющим р-n переходом, у которых функциональная область составляет от Uзи = 0 до потенциала запирания, МДП-транзисторы сохраняют большое входное сопротивление при различных значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.